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2024年12月28日发(作者：九的两字组词是什么)

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：Semiconductor substrate, semiconductor

device, and manufacturing methods thereof

发明人：Shiro Sakai

申请号：US15640585

申请日：20170703

公开号：US10128403B2

公开日：20181113

专利附图：

摘要：A method of manufacturing a semiconductor substrate including forming a first

layer on a substrate, patterning the first layer to form a plurality of patterns spaced

apart from one another, forming a second layer on the patterns to cover each of the

patterns, heat-treating the second layer to form cavities in the patterns between the

second layer and the substrate, and growing the second layer covering the cavities.

申请人：Seoul Viosys Co., Ltd.

地址：Ansan-si KR

国籍：KR

代理机构：H.C. Park & Associates, PLC

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本文标签： 专利 两字 知识产权 出版社

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