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2024年12月27日发(作者：sap工程师招聘)

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

发明人：OGAWA YOSHIHIRO,小川 義宏,KAWAMOTO

HIROSHI,川本 浩,ONODA HAJIME,小野田 始

申请号：JP2009219111

申请日：20090924

公开号：JP2011071199A

公开日：20110407

专利附图：

摘要：

PROBLEM TO BE SOLVED: To dramatically prevent an effect on fine patterns when

drying a semiconductor substrate after being rinsed.

SOLUTION: A method of cleaning a semiconductor substrate includes: a cleaning step

of cleaning a semiconductor substrate with a cleaning liquid; a rinsing step of rinsing the

semiconductor substrate with rinse water after the cleaning step; and a drying step of

drying the semiconductor substrate after the semiconductor substrate is rinsed. A

temperature of the rinse water is set to ≥70°C in the rinsing step, and the rinse water is

set to be acidic.

COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

申请人：TOSHIBA CORP,株式会社東芝

地址：東京都港区芝浦一丁目１番１号

国籍：JP

代理人：特許業務法人 サトー国際特許事務所

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本文标签： 专利 知识产权 出版社 内容 港区

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