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2024年12月27日发(作者：字符转化为ascii码)
TARGET靶
譯意為靶，一般用在金屬濺鍍(SPUTTERING) 也就是以某種材料，製造成各種形狀，用此靶，當做金屬
薄膜濺鍍之來源。
TDDB Time Dependent Dielectric Breakdown介電質層崩潰的時間依存性
利用介電質崩潰時間(Time to Breakdown)TBD 與外加電場(電壓)的線性模型，作加速測試
(Accelerated Test)，對產品(介電質)壽命(Life Time)作一估算。
TBD αe –β Eox ………… （1）
AF＝e –β（Eext-Eop）……… （2）
Life Time＝T-50*AF… （3）
TECN Temporary Engineering Change Notice臨時性製程變更通知
臨時工程變更通知 (ECN)為工程師為了廣泛收集資料，或暫時解決製程問題，而做的製程變更，此一臨時
性的變更將註明有效期限，以利生產作業。
英又名稱：TEOS Tetraethylor Thosilicate四乙基氧化矽
l﹒化學式：Si (OC2H5)4，於常溫下為液體態。
2﹒用途：於經化學反應後，可生成一層二氧化矽，
在IC裡通常被當作絕緣府使用。
3﹒反應方式：-高溫低壓分解反應
-常溫加入觸媒分解反應
-電漿促進分解反應
Threshold Voltage臨界電壓
當我*們在MOS電晶體之源極（Source）及汲極（Drain）加一個固定偏壓後，再開始調整閘極（Gate）
對基質（Substrate）的電壓，當閘極電壓超過某一個值之後，源極和汲極間就會產生電流而導通（Turn on），
則我*們就稱此時的閘極電壓稱為臨界電壓（Threshold Voltage）。
*NMOS電晶體的臨界電壓相對於基質為正。
*PMOS電晶體的臨界電壓相對於基質為負。
一般在製程上我*們會影響臨界電壓的因素主要有二：
1. 1.閘極氧化層厚度：Gate Oxide越厚，則Vγ（絕對質）越高。
2. 2.基質滲雜的濃度：Vγ植入Dose越高，則Vγ越高。
Through Put產量
Through Put為單位工時之產出量，例姐某機器每小時生產100片，則稱其Through put = lOO片/小
時。如果每天運作21小時，則每天的Through put為2100片/天。
IC工業係許多昂貴且精密的設備投資，故必須充分利用，維持生產的順暢，發揮其最大的效能。故高的
Through put為我*們評估機器設備的一項很重要的因素之一。
除了設備上發揮其最大產能外，必須要配合人為的力量，如流程安排、故障排除、‥‥等，亦即必須"人機
一體"才能發揮生產的整體效益，達到最高的生產力(Productivity)。
TMP TI Memory Prototype ,TMS-X TI Memory Standard Product記憶體產品樣品(原型)，TI記憶
體標準產品
在TI的產品出貨控制 (Product Outgoing Control)中 ， 以Qualification(資格審定)為 其里程碑：
(l) Qual以前：均為TMP產品，見附表。
(2) Qual以後：分為TMS-A， TMS-B，TMS-C及Special， 其可*度保證，客戶分怖見附表。
TMP TMS-A TMS-B TMS-C SPECIAL
Qualification X V V V V
Baseline product X V V X X
REL Assurance X V V X X
Major Customer X V X X X
Minor Customer X V V X X
Selected Customer V X X V V
TOX氧化層厚度
"TOX"係THICKNESS OF OXIDE之縮寫，即一般所謂氧化層厚度。
通常於氮化矽蝕刻，複晶及接觸窗蝕刻完，均須作TOX之測量，藉以確認該層次蝕刻完是否有過蝕刻或蝕
刻不足之現象。
Trouble Shooting故障排除
在生產過程，因為4M，即設備、材料、人為、方法等，造成之一切問題而阻礙生產。例如，機器Down
機、製程異常…等。工程人員解決以上所發生的問題，使這些"故障"消弭於無形謂之Trouble Shooting，
故障排除。
Undercut底切度
1.所謂"底切度"(Undercut)，乃是蝕刻時的專用術語，簡單的說，Undercut便是原來所定義出來的圖形
間偏離度的大小。
3. 3.以下圖說明
如上圖，原來定義之圖形其寬度為dm，但蝕刻後變為df。故其Undercut = df- dm/2。
3.對於等向性蝕(Isotropic Etching),Undercut較大，而對於完全非等向性蝕刻(Full Anisotropic
Etching)，其Undercut等於零，亦即能忠實地將原圖形複製出來。
Uniformity均勻度
均勻度Uniformity是一種測量值的平均分佈。藉以表示晶片內各測量點的數值或是晶片間其測量值的變
化。在IC製程中，常用以表示薄膜厚度，線寬（CD）在整片晶片內或晶片間的分佈。其表示方法如下：
均勻度愈小，表示各點變化愈小。亦即表示晶片製程品質較佳，也是製程能力愈好的表現。
Vacuum真空
真空係針對大氣而言，一特定空間內的部份氣體被排出，其壓力小於1大氣壓。
表示真空的單位相當多，在大氣的情況下，通稱為l大氣壓，也可表示為760torr或760mmHg或14.7psi。
真空技術中，將真空依壓力大小分為4個區域：
1.粗略真空(Rough Vacuum) : 760~1 torr
2.中度真空(Medium Vacuum): 1~10-3 torr
3.高真空 (High Vacuum) : l0-3~10-7torr
4.超高真空(Ultra-High Vacuum): 10-7torr以下
在不同真空，氣體流動的型式與熱導性等均有所差異，簡略而言，在粗略真空，氣體的流動稱為黏滯流
(Viscous Flow)。其氣體分子間碰撞頻繁，且運動具有方向性;在高真空或超高真空範圍，氣體流動稱為
分子流(Molecular Flow)，其氣體分子間碰撞較少，且少於氣體與管壁碰撞的次數，氣體分子運動為隨意
方向，不受抽氣方向影響。在熱導性方面，中度真空之壓力範圍其與壓力成正比關係﹒粗略真空與高真空
區域，則無此關係。
VACUUM PUMP真空幫浦
凡能將特定空間內的氣體去除，以減低氣體分子數目，造成某種程度之真空狀態的機件，統稱為真空邦浦。
目前生產機台所使用的真空邦浦，可分為抽氣式的有：旋片邦浦(ROTARY PUMP)，魯式邦浦(ROOTS
PUMP)，活塞邦浦(PISTON PUMP)，擴散邦浦 (DIFFUSION PUMP)。及儲氣式的有：冷凍幫浦(CRYO
PUMP)，離子邦浦 (ION PUMP)。Viscosity黏度
"黏度"一詞專用於液體，意指當液體接受切應力時(指作用力方向與液體表面不垂直)，液體就會產生形變，
所以便定義"黏度"來表示示體產生形變程
度的大小。
黏度是可以調整的，因為液體受切應力而形變是巨觀形為的表現，所以在液體完全相溶前提下，可以加入
不同黏度的溶劑來調整黏度。
VLF Vertical Laminar Flow垂直層流
在流體的流動狀態中，可分為層流 (Laminar Flow)及紊流(Turbulent Flow) 兩種。一名叫Osborne
Reynold的人利用一簡易的實驗將其界定，而雷諾數即為層流及紊統的界定值。
一般流體流速較快者其流線 (streamiline)分子易受幹擾，且雷諾數大易形成紊流，反之，則易形成層流。
(雷諾數，慣性力/粘滯力)。
在無塵室晶片製造場所內，其氣流為穩定之層流，如此可將人員、機台等所產生之微塵帶離。若為紊流，
則微塵將滯流不去。因此在無塵室內機台的佈置及人員的動作都以儘量不使空氣流線產生紊流為原則。
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