一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(21)申请号 CN2.X

(22)申请日 2013.02.04

(71)申请人 京东方科技集团股份有限公司

地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

(72)发明人 张春芳 魏燕 徐超 金熙哲

(74)专利代理机构 北京同达信恒知识产权代理有限公司

代理人 杜秀科

(51)

H01L27/12

H01L21/77

G02F1/1362

G02F1/1368

(10)申请公布号 CN 103117285 A

(43)申请公布日 2013.05.22

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

一种阵列基板、显示装置及阵列基

板的制造方法

(57)摘要

本发明涉及平板显示技术领域，公

开了一种阵列基板、显示装置及阵列基板

的制造方法。所述阵列基板包括：基板以

及设置在基板上的多个静电放电短路环，

所述每个静电放电短路环包括栅极、栅极

绝缘层、有源层、源极、漏极、钝化层，

还包括：将栅极和漏极连接的透明导电

层，且所述透明导电层位于所述钝化层的

下方。本发明有益效果如下：通过将透明

导电层设置在钝化层的下方，从而避免了

透明导电层被显示装置内部的其他部件划

伤，提高了阵列基板的安全性能，从而保

证了显示装置的质量。

法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态

权 利 要 求 说 明 书

1.一种阵列基板，包括基板以及设置在基板上的多个静电放电短路环，

所述静电放电短路环包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极、钝化层，

其特征在于，还包括：将栅极和漏极连接的透明导电层，且所

于所述钝化层的下方。 述透明导电层位

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电层位于所

所

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

设置在源极和漏极之上的第二钝化层；

述基板和所述栅极绝缘层之间并搭接在栅极上，所述栅极绝缘层具有过孔，

述透明导电层通过过孔与所述漏极连接。

设置在钝化层和第二钝化层之间的平坦化层，所述平坦化层和第二钝化层

所述透明导电层设置于所述平坦化层与所述钝化层之间，且所述透明导电

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化层为树脂层。

层通过所述第一过孔与栅极连接，并通过所述第二过孔与漏极连接。

包括第一过孔和第二过孔；

5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1~4所述的任一项阵列

6.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括形成静电放电短路环的

在基板上形成栅极；

形成栅极绝缘层；

形成形成有源层、源极和漏极；

形成将栅极和漏极连接的透明导电层；

形成钝化层；

所述透明导电层位于所述钝化层下方。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，在形成钝化层的步骤之

在基板上形成与所述栅极搭接的透明导电层；

前，还包括：

步骤，所述形成静电放电短路环的形成步骤包括：

基板。

在栅极绝缘层上位于透明导电层上方的位置形成过孔；

在栅极绝缘层上形成漏极，且漏极通过过孔与透明导电层连接。

8.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，在形成钝化层的步骤之

在源极和漏极的上方形成覆盖基板的第二钝化层；

在第二钝化层上方形成覆盖第二钝化层的平坦化层；

在平坦化层和第二钝化层位于栅极上方位置上形成第一过孔、位于漏极上

在平坦化层上形成透明导电层，且形成的透明导电层通过第一过孔与栅极

前，还包括：

方位置上形成第二过孔；

连接，并通过第二过孔与漏极连接。

说 明 书

技术领域

本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及到一种阵列基板、显示装置及阵

背景技术

在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid

和

目前，TFT-LCD的显示模式主要有TN（Twisted Nematic，扭曲向列）模

平

式、VA（Vertical Alignment，垂直取向）模式、IPS（In-Plane-Switching，

面方向转换）模式和AD-SDS（Advanced Super Dimension Switch，

转换技术，简称ADS）模式等。

Crystal Display，简称TFT-LCD）具有体积小、功耗低、制造成本相对较低

无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。

列基板的制造方法。

高级超维场

其中，基于ADS模式的显示器通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电

缝

场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭

电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了

效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-

品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高

压水波纹等优点。

液晶工作

LCD产品的画面

开口率、低色差、无挤

如图1和图2所示，以现有的两种ADS模式的TFT-LCD阵列基板为例，

述

均包括：基板10、设置在基板10上的静电放电短路环20和钝化层30，所

静电放电短路环20包括栅极22、有源层21、源极23、漏极24以及

和漏极24连接的透明导电层25，且透明导电层25位于所述将栅极22

钝化层30的上方。

现有技术的缺陷在于，随着显示装置的边框越来越窄，阵列基板周边的布

线区域越来越窄，部件之间的间隔越来越小。在装配显

基板最外面的透明导电层很容易被其他部件划伤，

电部分不能正常的工作，影响显示装置的

示装置时，裸露在阵列

从而导致阵列基板的静电导

质量。

发明内容

本发明提供了一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法，用于避免

本发明一种阵列基板，包括：

基板以及设置在基板上的多个静电放电短路环，所述静电放电短路环包括

连

可选择的，所述的阵列基板还包括：所述透明导电层位于所述基板和所述

层

可选择的，所述的阵列基板还包括：

设置在源极和漏极之上的第二钝化层；

设置在钝化层和第二钝化层之间的平坦化层，所述平坦化层和第二钝化层

栅极绝缘层之间并搭接在栅极上，所述栅极绝缘层具有过孔，所述透明导电

通过过孔与所述漏极连接。

栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极、钝化层，还包括：将栅极和漏极

接的透明导电层，且所述透明导电层位于所述钝化层的下方。

阵列基板的静电导导电部分被损坏，从而提高显示装置的质量。

包括第一过孔和第二过孔；

所述透明导电层设置于所述平坦化层与所述钝化层之间，且所述透明导电

较佳的，所述平坦化层为树脂层。

本发明一种显示装置，包括上述的任一项阵列基板。

本发明一种阵列基板的制造方法，包括形成静电放电短路环的步骤，所述

在基板上形成栅极；

形成栅极绝缘层；

形成形成有源层、源极和漏极；

形成将栅极和漏极连接的透明导电层；

形成钝化层；

所述透明导电层位于所述钝化层之下。

优选的，所述阵列基板的制造方法，在形成钝化层的步骤之前，还包括：

在基板上形成与所述栅极搭接的透明导电层；

形成静电放电短路环的形成步骤包括：

层通过所述第一过孔与栅极连接，并通过所述第二过孔与漏极连接。

在栅极绝缘层上位于透明导电层上方的位置形成过孔；

在栅极绝缘层上形成漏极，且漏极通过过孔与透明导电层连接。

优选的，所述阵列基板的制造方法，在形成钝化层的步骤之前，还包括：

在源极和漏极的上方形成覆盖基板的第二钝化层；

在第二钝化层上方形成覆盖第二钝化层的平坦化层；

在平坦化层和第二钝化层位于栅极上方位置上形成第一过孔、位于漏极上

在平坦化层上形成透明导电层，且形成的透明导电层通过第一过孔与栅极

本发明有益效果如下：通过将透明导电层设置在钝化层的下方，从而避免

附图说明

图1为现有技术中ADS模式下阵列基板的结构示意图；

图2为现有技术中ADS模式下另一种阵列基板的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的ADS模式下阵列基板的结构示意图；

图4为本发明实施例提供ADS模式下另一种阵列基板的结构示意图。

了透明导电层被显示装置内部的其他部件划伤，提高了阵列基板的安全性能，

从而保证了显示装置的质量。

连接，并通过第二过孔与漏极连接。

方位置上形成第二过孔；

附图标记：

10-基板 20-静电放电短路环 21-有源层

22-栅极 23-源极 24-漏极

25-透明导电层 26-栅极绝缘层 30-钝化层

40-第二钝化层 50-平坦化层

具体实施方式

为了避免阵列基板的静电导导电部分被损坏，从而提高显示装置的质量。

本发明实施例提供了一种阵列基板，通过将透明导电层设置到钝化层的下方，

从而避免了透明导电层被显示装置中的其他部件的损坏。有效的避免

板被损坏，保证了显示装置的质量。为了使本发明的目的、技

以下举实施例对本发明作进一步详细说明。

了阵列基

术方案更加清楚，

如图3所示，图3为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图，以图3

本发明实施例提供的阵列基板，包括：

基板10以及设置在基板10上的多个静电放电短路环20，所述静电放电短

层

路环20包括栅极22、栅极绝缘层26、有源层21、源极23、漏极24、钝化

30，还包括：将栅极22和漏极24连接的透明导电层25，且所述透

25位于所述钝化层30的下方。

所示的阵列基板的放置方向为参考方向。

明导电层

在该实施例中，将透明导电层25设置在所述钝化层30的下方，从而使得

的

透明导电层25得到钝化层30的保护，避免了透明导电层25被显示装置中

其他元器件划伤，提高了阵列基板的安全性能，从而保证了显示装置

的质量。

所述阵列基板可以为顶栅基板也可以为底栅基板，所述阵列基板为底栅基

板时，所述静电放电短路环20包括：设置在基板10上的栅极22，设置在

22上方的栅极绝缘层26，设置在栅极绝缘层26上方的有源层21，

23和漏极24形成有源层21的沟道，所述透明导电层25将漏

连接。

栅极

所述源极

极24和栅极22

在上述实施例中，为了便于生产，优选的，所述透明导电层25位于所述

基板10和所述栅极绝缘层26之间并搭接在栅极22上，

有过孔，所述透明导电层25通过过孔与所述漏

设置在基板10上方，通过溅射工艺在基

蚀工艺得到所需的图案。便于透明

所述栅极绝缘层26具

极24连接。将透明导电层25

板10上形成沉积层，并通过光刻、刻

导电层25的形成。

如图4所示，图4为本发明提供的ADS模式下的另一种阵列基板，包括

二

基板10，在基板10上还可以进一步包括：设置源极23和漏极24上方的第

钝化层40；设置在钝化层30和第二钝化层40之间的平坦化层50，

50为树脂层；所述平坦化层50和第二钝化层40具有与所述

分别连通的第一过孔和第二过孔；所述透明导电层25

与所述第二钝化层40之间，且所述透明导电层

接，并通过第二过孔与漏极24连接。

平坦化层

栅极22和漏极24

设置于所述平坦化层50

25通过第一过孔与栅极22连

在上述实施例中，基板10可以选用不同材料制作的基板，可以为玻璃基

板、树脂基板或塑料基板。

在上述实施例中，栅极绝缘层26具体可以为氧化硅层或氮化硅层。

所述导透明导电层25具体可以为氧化铟锡，具有良好的透过率和导电性

本发明实施例还提供了一种显示装置，其包括上述任意一种阵列基板。所

本发明阵列基板的制造方法，包括：

在基板上形成栅极；

形成栅极绝缘层；

形成形成有源层、源极和漏极；

形成将栅极和漏极连接的透明导电层；

形成钝化层；

所述透明导电层位于所述钝化层之下。

图3所示实施例的阵列基板，其主要制作工艺如下：

步骤201、采用溅射工艺在基板上沉积栅金属层，通过光刻、刻蚀得到栅

能。

述显示装置可以为：液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、

笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

极22；

步骤202、采用溅射工艺在基板上沉积氧化铟锡，且使氧化铟锡与形成的

步骤203、采用等离子体增强化学气相沉积法在基板上沉积金属层，通过

步骤204、采用等离子体增强化学气相沉积法在形成的绝缘层上沉积半导

步骤205、采用干刻工艺，在栅极绝缘层位于透明导电层的上方刻蚀出过

步骤206、采用溅射工艺在形成的栅极绝缘层上沉积金属层，通过光刻、

步骤207、采用等离子体增强化学气相沉积法形成钝化层。

图4所示实施例的阵列基板，其主要制作工艺如下：

步骤301、采用溅射工艺在基板上沉积栅金属层，通过光刻、刻蚀得到栅

步骤302、采用等离子体增强化学气相沉积法在基板上沉积金属层，通过

光刻、刻蚀形成栅极绝缘层，栅极绝缘层可以为氮化硅层或二氧化硅层；

极22；

刻蚀形成源极和漏极；并使漏极通过过孔与透明导电层连接；

孔；

体材料，通过光刻、刻蚀形成有源层；

光刻、刻蚀形成栅极绝缘层；栅极绝缘层可以为氮化硅层或二氧化硅层；

栅极22连接，通过光刻、刻蚀得到透明导电层；

步骤303、采用等离子体增强化学气相沉积法在形成的栅极绝缘层上沉积

步骤304、采用溅射工艺在形成的栅极绝缘层上形成金属层，通过光刻、

步骤305、采用等离子体增强化学气相沉积法在栅极绝缘层和有源层上形

步骤306、采用涂敷的方式在第二钝化层上形成平坦化层；

步骤307、采用干刻工艺，在平坦化层和第二钝化层位于栅极上方位置上

步骤308、采用溅射工艺在形成的平坦化层上沉积氧化铟锡，并通过光刻、

极

步骤309、采用等离子体增强化学气相沉积法在形成的平坦化层上形成钝

可见通过上述工艺流程，可以便于形成透明导电层，位于透明导电层上方

其

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发

及

明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求

其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

的钝化层可以很好的保护透明导电层，避免了透明导电层被显示装置内部的

他部件划伤。

化层。

刻蚀得到透明导电层，形成的透明导电层通过步骤307形成的第一过孔与栅

连接，并通过第二过孔与漏极连接；

形成第一过孔、位于漏极上方位置上形成第二过孔；

成第二钝化层；

刻蚀得到源极和漏极；

半导体材料，通过光刻、刻蚀形成有源层；