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2024年12月29日发(作者：靠得住的少儿编程学习班)

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：POWER MOS DEVICE FABRICATION

发明人：Anup Bhalla,Sik Lui,Tiesheng Li

申请号：US13604286

申请日：20120905

公开号：US2A1

公开日：20121227

专利附图：

摘要：Fabricating a semiconductor device includes forming a mask on a substrate

having a top substrate surface; forming a gate trench in the substrate, through the mask;

depositing gate material in the gate trench; removing the mask to leave a gate structure;

implanting a body region; implanting a source region; forming a source body contact

trench having a trench wall and a trench bottom; forming a plug in the source body

contact trench, wherein the plug extends below a bottom of the body region; and

disposing conductive material in the source body contact trench, on top of the plug.

申请人：Anup Bhalla,Sik Lui,Tiesheng Li

地址：Santa Clara CA US,Sunnyvale CA US,San Jose CA US

国籍：US,US,US

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本文标签： 专利 靠得住 知识产权 出版社

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