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2024年12月28日发(作者：安卓软件开发环境搭建)

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：Buffered substrate for semiconductor

devices

发明人：Fork, David K.,Boyce, James B.,Mei,

Ping,Ready, Steve,Johnson, Richard

I.,Anderson, Greg B.

申请号：EP97303455.6

申请日：19970521

公开号：EP0810638A2

公开日：19971203

专利附图：

摘要：The invention provides a buffered substrate that includes a substrate, a buffer

layer and a silicon layer. The buffer layer is disposed between the substrate and the

silicon layer. The buffer layer has a melting point higher than a melting point of the

substrate. A polycrystalline silicon layer is formed by crystallizing the silicon layer using a

laser beam.

申请人：XEROX CORPORATION

地址：Xerox Square Rochester New York 14644 US

国籍：US

代理机构：Pike, Christopher Gerard

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本文标签： 专利 环境 知识产权 出版社 内容

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