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2024年12月28日发(作者：开心手机恢复大师安卓)

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：SOI SUBSTRATE WITH FINE BURIED

INSULATING LAYER

发明人：LANDRU DIDIER,ディディエ ランド

ル,KERDILES SEBASTIEN,セバスチャン カーディ

ル

申请号：JP2008272387

申请日：20081022

公开号：JP2009111381A

公开日：20090521

专利附图：

摘要：Array

申请人：SOI TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES,エス． オー． アイ． テック

シリコン オン インシュレーター テクノロジーズ

地址：フランス国， ３８１９０ ベルナン， パルク テクノロジーク デ フォンテーヌ， シュマ

ン デ フランク

国籍：FR

代理人：山田 行一,野田 雅一,池田 成人

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