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2024年12月28日发(作者：c语言通信编程实例)
A
abruptly 立刻
abundance 分布量
accelerated 加速
accommodat接纳，供应
adjacent 接近的
affinity 倾向
alloying 合金
align 排列
amorphous type不定形
amplifier 放大器
analog 模拟的
anisotropic 各向异性的
anncal 退火
annihilate 消灭
approximate 近似；相符性
arbitary 任意的
arsenic 砷
at rest 静止
avalanche 雪崩
B
barrier 势垒
base 基极
bias 偏压
bipolar junction transistor双
极性晶体管 （BJT）
biasing 偏置
boron 硼
boundary 边界
bulk 体积
buried layer 埋层
C
capacitance 电容
channel 沟道
coefficient 系数
collision 碰撞
collector 集电极
compensate 补偿
composite 复合的
concentration 浓度
conductor 导体
conduction band 导带
conductivity 磁场
configuration 结构
constant 常数
constitute 构成
constituent 要素
consumption 功耗
constant 恒定
core 核心
corresponding 对应的
correspond 相一致
covalent band 价带
critical 临界
crystal 晶体
crystal lattice 晶格
crystal orientation 晶向
cube 立方
cubic 立方的
current 电流
cutoff 节制
D
Dangling bond 悬挂键
dashed line 虚线
decay 衰减
deficiency 缺乏
degenerate 简并
density 浓度
deplete 耗尽
depletion region 耗尽层
device 器件
dielectic constant 介电常数
dielectic 绝缘体，电介质
diffusion 扩散
dimension 量纲
diode 二极管
discontinuity 中断
discrete 离散的
displacement 位移
distribution 分布
donor 施主
doping level 掺杂浓度
dopant 掺杂剂
drain 漏
drift 漂移
duplicate 复制
E
effective potential energy
有效势能
electrode 电极
electrostatic 静电学的
election 电子自旋
element semiconductor 元
素半导体
elevate 提升
emitter 发射极
epitaxy 外延
equidistant 等距的
equilibrium 平衡
excess 过盛
excitation 激发
external 外部的
extracted 抽取
extrapotation 外推
extrinic 非本征
F
Fabrication制作
finite 限定的
figure of merit 品质因子
flat band voltage平带电压
flexibility 适应性
flux 流动
fraction 比例
forbidden region 禁带
forward bia 正向偏压
G
gallium 镓
gaseous 气态的
gate 栅；门
germanium 锗
generate 生成
graded 缓变
gradient 梯度
H
homejunction同质节
I
illumination 光照
impact ionization 碰撞电离
implantation 注入
impurity 杂质
incident ion 射入离子
incorporate 合并
infinite 无限的
influx 流入
inherently 本身
insulator 绝缘体
interaligitated structure 叉
指型结构
interatomic 原子间的
intercept 截距
interest 意义
interface 界面，接口
integration 积分
intrinsic 本征
inverted 反向
inversion layer反型层
ionized 电离
isolated 孤立的
isotropic 各向同性
J
Joule 焦耳
K
Kinetic 运动的
L
Lateral 侧面的
leakage 漏
load 负载
lowercase 小写的
M
Macroscopic 宏观的
mass 质量
magnitude 数值上
MBE 分子束外延
merit 优点
mfinity 无穷大
microsopic微观的
migration 迁移
modulation 调制
momentum 要素
multiplication 倍增
N
net doping 净掺杂
neutral 中性
normalized 归一化
nucleus 核
O
Ohmis 欧姆的
optical 光学
orbit 轨道，转
orientation 倾向性
oscillator 振荡器
oscilloscope 示波器
overlap 重叠
P
parallel resistant 并联电阻
parasitic 寄生的
parameters 参数
peak 峰值
permittivity 介电常数
perpendicular竖直的
penetrate 进入，渗透
photoconductivity光电导性
photon 光子
polysilicon 多晶硅
practical 替代
predominate 控制
probability 几率
proportional 比例的
profile 分布
pn junction PN结
pulse 脉冲
Q
quantum mechanics 量子
力学
qualitative 定性
R
range 射程
ratio 比值
rearranging 排列
reclaimable 可回收
reciprocal 互惠的
recombination center 复合
中心
resistivity 抵抗力
response 响应
reverse bia 正向偏压
S
saturation 饱和区
scatter 散射
self-aligned 自对准的
semilog 半对数
short-circuiting 短路
simulation 仿真
slope 斜率
solid-state 固体材料
solubility 溶度
source 源
space-charge 空间电荷
spatial 空间的
stationary 固定的
step junction 突变节
substrate 衬底，基片
subthreshold 亚阈值
supersede 替代
supply 电源
switch 开关
T
terminal voltage 端电压
tern 项
tetrahedron 四分体
thermal 热量的
traverse 横越
transit 运输
transiston region 过渡区
transistor 晶体管
transconduction跨导
transconductance互导
transiet 瞬时的
trunnel 遂穿
U
uniform 均匀
V
vacancy 空缺
vaccum 真空
valence band 价带
valid 有效的
vertical 直立的
velocity 速率
vibration 振动
voltage 电压
varies exponentially 指数
变化
W
well 阱
wafer 晶片
work function功函数
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