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2024年12月27日发(作者：网上商城模板一般固定吗)
1. 晶圆的制备方法有哪几种？各有什么优劣？
A, 直拉法(CZ)，成本低；含氧量高(影响少子寿命)；含少量碳（来源于石英
锅）
B, 液体掩盖直拉法，在直拉法的过程中加入液封，主要针对含As半导体
C, 区熔法，成本高，含氧量低
2. Wafer表面抛光的方法？输运过程中怎样防止划伤？
抛光方法：磨片+化学机械抛光（12寸一般都双面抛光）
Substrate一般都背面处理，也即消除背损伤，通过吸杂技术，俘获制造工艺中
的可移动金属离子污染（MIC）（Na
+
为最常见的MIC）
对于Si基wafer，一般利用Si的自氧化形成SiO
2
膜防止划伤。
3. Wafer表面可能存在的几种污染物（surface issue）？
1. 自身的氧化（native oxide）
2. 微粒（particle）
3. 微观粗糙（micro-roughness）
4. 金属污染物（metal-contamination）
5. 有机污染物（organic-contamination）
4. Si/Ge/GaAs 三种半导体各有什么优劣？
Si 熔点高，易氧化成SiO
2
膜(简化隔离，界面态相似)，天然优势，Si成本低，
Ge 熔点低，无天然氧化物
GaAs 器件效应快，电子迁移率大；易脆裂；有As具毒
5. MOS器件为什么称为“功率”器件？
6. 为什么（100）wafer+notch多用于功率器件，而（111）多用于双极型器
件，砷化镓晶体只能沿（100）晶面切割？
功率器件中，（100）晶向wafer更有利于电子的迁移运输；
7. 测量中的MCV法是什么？
汞探针C-V测试仪是利用肖特基势垒电容的C-V特性来测试重掺衬底上同型Si
外延层掺杂浓度即电阻率的测试方法。
但MCV法测试需要对wafer表面先进行清洗处理，且容易形成Hg污染。
8. 电阻测量中的four probing(4PP)法是什么？
一般情况下的万用表测量电阻时不能避免接触电阻，而四探针法，利用外侧两
电流，内测两电压，有效避免了接触电阻；另外，四探针法还可以测试薄膜厚
度（利用方块电阻）。
9. Substrate为什么必须对电阻进行把控？
Substrate本身的电阻会影响到后续WAT（wafer accept testing）时Rds
（on），其实不仅对于电阻，还有厚度，弯曲等。
10. Substrate上的EPI作用是什么？
11. Substrate 为什么需要掺杂？
纯substrate本身是不导电的，只有经过掺杂，改变半导体形态，
12. Substrate的掺杂类型有哪些？
N+/N/N-：As/P
P+/P/P-: B
13. N型半导体中掺As和P有什么区别？各有什么特点？
不同的掺杂元素有不同的原子质量，在掺杂时所需的条件不同，后期激
活也需不同激活条件，另外，As有毒，且两的成本不同。
14. Substrate上为什么需要一层EPI?而不是直接从substrate开
始。
EPI类似做了一个可控制的电阻，起分压作用的。
15. EPI的厚度有什么影响？
EPI thickness ↑, BV ↑, Rds(on) ↑; EPI resistivity ↑, BV ↓, Rds(on) ↓, Vt↑
16. BV/Vt分别指什么？
BV指breakdown voltage，
Vt指阈值电压
17. Rds(on)是什么？
Rds(on)指器件中所有电阻的总和，如Rsubstrate，Repi……
Rds(on)=R
S
(cont)+R
n
(N+region)+R
ch
(channel)+R
a
(accumulation
layer)+R
JFET
(parasitic JFET)+R
drift
(EPI)+R
sub
(substrate)
18. EPI 相对于substrate轻掺杂有什么作用？
从EPI作用出发，相当于要做一个分压器，一个串联电阻，且通过掺杂浓度来
改变电阻大小，也即能承受电压的大小。
19. 常用CVD有哪些？各有什么应用？
CVD/应用
常压CVD
APCVD
低温氧化物
无掺杂硅玻璃
掺杂氧化物
-层间介质中
低压CVD
LPCVD
阻挡层与刻蚀终止层
薄膜间垫层应力释放
高温淀积
-氧化物
等离子增强CVD
PECVD
金属上的绝缘体
氮化物钝化
低k介质
PMOS栅电极钝化
高密度等离子CVD
HDPCVD
浅槽隔离填充
高深宽比缝隙填充
金属前介质
金属间介质
-平坦化中
-外延层沉积
中
-SiN
-多晶硅
-钨
源/漏终止注入
金属前介质
金属间介质
-缝隙填充
-大马士革互连
-缝隙填充
-大马士革互连
20. 大马士革互连是什么？
一种半导体中常用的互联工艺，常见的为铜大马士革互连。
未完待续
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