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2024年3月21日发(作者:marqueeboost价格走势)
江苏科技大学数理学院 约瑟夫森结I-V特性及非线性的数值模拟
约瑟夫森结I-V特性及非线性的数值模拟
彭加福
(江苏科技大学数理学院,应用物理,)
摘要:
本文基于Matlab对约瑟夫森结(Josephson Junction)RCSJ模型的交直流I-V特性
及非线性混沌现象进行数值模拟。通过计算机数值模拟得到该模型的非线性微分方程数值解,
研究了RCSJ模型中各参量对约瑟夫森结的影响,进而简要分析其I-V特性和非线性混沌现象
的产生机理,绘制出约瑟夫森结的交直流I-V特性曲线、非线性微分方程的相图及因其高度
非线性而引起的通过倍周期分岔和阵发性原理进入混沌状态的分岔图。
关键词:
超导器件 隧道效应 约瑟夫森结 弱耦合 倍周期分岔 庞加莱截面 混沌
1. 引 言
自1911年荷兰科学家昂纳斯(H. K. Onnes)发现汞的超导现象以来,人们对超导进行了
大量开拓性的研究,使超导理论
[1]
日趋成熟,与此同时,超导技术也在各个领域得到深入而广
泛的应用
[2]
。约瑟夫森效应的发现开拓了超导量子干涉仪(SQUID)在弱电方面的应用。人们
在对约瑟夫森效应进行研究的过程中发明了各种超导器件及应用电路
[3]
,促使超导技术应用
的新领域——超导电子学逐渐发展起来。在其中,因具有各种独特性(量子干涉、特殊的I-V
特性和高度的非线性等),约瑟夫森结得到广泛的研究和应用,并成为超导电子器件的核心部
件。实际使用中的约瑟夫森结总处于某一电路之中,因此,利用等效电路理论来研究和分析
约瑟夫森结的物理行为是一种很有效的方法。在各模型中,其物理行为均可用微分方程来描
述,但这些方程大多不易直接求解析解,因而发展了很多间接解法
[4],[5]
。其中,利用电路模
拟(RCSJ模型和RSJ模型等等),如图1、图2所示,并用数值计算来研究约瑟夫森结的方
法最直接,简易。
图1:
RCSJ模型等效电路
图2:
RSJ模型等效电路
Resistively Capacitance Shunted Junction Resistively Shunted Junction
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作者:彭加福 (jingyujiafu@) 共16页 - 1 -
江苏科技大学数理学院 约瑟夫森结I-V特性及非线性的数值模拟
2. 约瑟夫森效应及约瑟夫森结简介
1962年,约瑟夫森(B. D. Josephson)提出:两块用绝缘薄层隔开且紧密地接近的超导
体间,甚至在没有电势差的情况下,电子仍能够穿过绝缘薄层(隧道现象)。在不到一年的时
间内,安德森(P. W. Anderson)和罗韦尔(J. M. Rowell)等人从实验上观察到这一现象,
证实了约瑟夫森的预言,此即约瑟夫森效应
[6]
(Josephson Effection),又称隧道效应。
两块超导体通过一绝缘薄层(厚度为10埃左右)连接起来的组合称S-I-S超导隧道结或
约瑟夫森结。绝缘层对电子来说是一势垒,一块超导体中的电子能穿过势垒进入另一超导体
中,这是约瑟夫森结中特有的量子隧道效应
[7]
。绝缘层太厚时,隧道效应不明显,太薄时,
两块超导体实际连成一体,这两种情况下均不易观察到约瑟夫森效应,只有当绝缘层不太厚
也不太薄,即弱耦合时,才能观察到显著的约瑟夫森效应。
3. 电路模型及计算机模拟
理想约瑟夫森结遵循如下方程:
II
c
sin
(1)
d
2e
V
(2)
dt
式中,
是结中心量子波函数的相位差,
I
c
是总临界电流,与外加磁场有关(文献3中有
详细介绍)。
等式(1)、(2)所描述的仅仅是电子对携带的电流,从理论上讲,结间还有位移电流、
准粒子隧道电流和绝缘体漏电流,研究时应该把这些电流都考虑进去。研究约瑟夫森结时, 一
般都把一个理想的约瑟夫森结与结电阻R和结电容C相并联,即用电容模拟位移电流,用电阻
模拟准粒子隧道电流和绝缘体漏电流。这样的模型称为电阻、电容分路结模型,简称RCSJ模
型(Resistively Capacitance Shunted Junction) ,如图1所示。对于小面积隧道结、超
导微桥以及点接触结,当其结电容很小时,可以不考虑电容的影响。于是可用电阻分路结模
型(Resistively Shunted Junction)来描述:一个理想的约瑟夫森结与一个电阻相并联,
简称RSJ模型,如图2所示。
采用RCSJ模型,并同时加上直流电流源和交流电流源后,可用如下方程描述:
I
d
I
a
sin(
a
t)I
c
sin(
)
VdV
C
(3)
Rdt
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作者:彭加福 (jingyujiafu@) 共16页 - 2 -
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