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2024年4月13日发(作者：linux安装python3)
npn的电晶体是以电洞(带正电)为多数载子，pnp则相反是以电子(带负电)为多数载子，
而在控制电晶体动作上必须利用电流的顺向偏压或逆向偏压来操作，所以在接点所需的电压
大小及正负值必须要正确才能驱动电晶体的动作
电晶体是一种固态装置元件，它具有体积小、效率高、寿命长及速度快等优点。近年来
由于技术的进步，已有大量的耐高压、能承受大功率的晶体被制造出来，因此电晶体在功率
放大上，一直扮演着重要的角色。3-4-1电晶体的结构 电晶体的结构很像二极体，不过比
二极体多出了一个 接合面。如图3-15(a)所示，将二层n型半导体，中间夹以一层很薄的p
型半导体，即成npn型电晶体；或 将二层p型半导体，中间夹以一层很薄的n型半导体，
即成pnp型电晶体。将电晶体的三层晶片都分别列出接线成为电极，中间一片称为基极
(base,b)，另两极分别称为射极(emitter,e) 及集极(collector,c)。射极能发射多数载体，基极
可控制流向集极之多数载体的数量。集极则能收集射极发射的多数载体，如图3-15(b)所示，
为电晶体的符号，射极之箭头向外的为npn型；射极之箭头向内的为pnp型。
NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同，说得“专业”一点，就是“极性”问
题。
NPN 是用 B→E 的电流（IB）控制 C→E 的电流（IC），E极电位最低，且正常放大
时通常C极电位最高，即 VC > VB > VE
PNP 是用 E→B 的电流（IB）控制 E→C 的电流（IC），E极电位最高，且正常放大
时通常C极电位最低，即 VC < VB < VE
总之 VB 一般都是在中间，VC 和 VE 在两边，这跟通常的 BJT 符号中的位置是一
致的，你可以利用这个帮助你的形象思维和记忆。而且BJT的各极之间虽然不是纯电阻，
但电压方向和电流方向同样是一致的，不会出现电流从低电位处流行高电位的情况。
如今流行的电路图画法，通常习惯“男上女下”，哦不对，“阳上阴下”，也就是“正电
源在上负电源在下”。那NPN电路中，E 最终都是接到地板（直接或间接），C 最终都是接
到天花板（直接或间接）。PNP电路则相反，C 最终都是接到地板（直接或间接），E 最终
都是接到天花板（直接或间接）。这也是为了满足上面的VC 和 VE的关系。一般的电路中，
有了NPN的，你就可以按“上下对称交换”的方法得到 PNP 的版本。无论何时，只要满
足上面的6个“极性”关系（4个电流方向和2个电压不等式），BJT电路就可能正常工作。
当然，要保证正常工作，还必须保证这些电压、电流满足一些进一步的定量条件，即所谓“工
作点”条件。
对于NPN电路：
对于共射组态，可以粗略理解为把VE当作“固定”参考点，通过控制VB来控制VBE
（VBE=VB-VE），从而控制IB，并进一步控制IC（从电位更高的地方流进C极，你也可以
把C极看作朝上的进水的漏斗）。
对于共基组态，可以理解为把VB当作固定参考点，通过控制VE来控制VBE
（VBE=VB-VE），从而控制IB，并进一步控制IC。
如果所需的输出信号不是电流形式，而是电压形式，这时就在 C 极加一个电阻 RC，
把 IC 变成电压 IC*RC。但为满足 VC>VE， RC 另一端不接地，而接正电源。
而且纯粹从BJT本身角度，而不考虑输入信号从哪里来，共射组态和共基组态其实很
相似，反正都是控制VBE，只不过一个“固定” VE，改变VB，一个固定VB，改变VE。
对于共射组态，没有“固定参考点”了，可以理解为利用VBE随IC或IE变化较小的
特性，使得不论输出电流IE怎么变化（当然也有个限度），VE基本上始终跟随VB变化
（VE=VB-VBE），VB升高，VE也升高，VB降低，VE也降低，这就是电压跟随器的名称
的由来。
PNP电路跟NPN是对称的，例如：
对于共射组态，可以粗略理解为把VE当作“固定”参考点，通过控制VB来控制VEB
（VEB=VE-VB），从而控制IB，并进一步控制IC（从C极流向电位更低的地方，你也可以
把C极看作朝下的出水管）。
对于共基组态，可以理解为把VB当作固定参考点，通过控制VE来控制VEB
（VEB=VE-VB），从而控制IB，并进一步控制IC。
„„
上面所有的VE的“固定”二字都加了引号。因为E点有时是串联负反馈的引入点，这
时VE也是变化的，但这个变化是反馈信号，即由VB变化这个因造成的果。
型号 极性 PCM(W） ICM（mA）
BU
(CEO)V
fT(MHZ) hFE 主要用途
9011 NPN
9012 PNP
9013 NPN
9014 NPN
9015 PNP
9016 NPN
9018 NPN
8050 NPN
8550 PNP
0.4
0.625
0.625
0.625
0.45
0.4
0.4
1
1
30
500
500
100
100
25
50
1.5A
1.5A
50
40
40
50
50
30
30
25
25
370 28～198
64～202
64～202
通用功率放大
270
190
620
1100
190
200
60～1000
60～600
28～198
28～198
85～300
60～300
低噪声放大管
低噪声高频放大管
通用功率放大管
通用功率放大管
901x系列三极管
2009-11-28 12:27
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的区别
2009-11-16 23:05
9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-80
9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管 放大倍数30-90
9013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管 放大倍数40-110
9014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-90
8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100
8550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140
详情如下：
90系列三极管参数
90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、
UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN
集电极-发射极电压 30V
集电极-基电压 50V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.03A
耗散功率 0.4W
结温 150℃
特怔频率 平均 370MHZ
放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
9012 结构：PNP
集电极-发射极电压 -30V
集电极-基电压 -40V
射极-基极电压 -5V
集电极电流 0.5A
耗散功率 0.625W
结温 150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300
9013 结构：NPN
集电极-发射极电压 25V
集电极-基电压 45V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.5A
耗散功率 0.625W
结温 150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300
9014 结构：NPN
集电极-发射极电压 45V
集电极-基电压 50V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.1A
耗散功率 0.4W
结温 150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000
9015 结构：PNP
集电极-发射极电压 -45V
集电极-基电压 -50V
射极-基极电压 -5V
集电极电流 0.1A
耗散功率 0.45W
结温 150℃
特怔频率 平均 300MHZ
放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000
9016 结构：NPN
集电极-发射极电压 20V
集电极-基电压 30V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.025A
耗散功率 0.4W
结温 150℃
特怔频率 平均 620MHZ
放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
9018 结构：NPN
集电极-发射极电压 15V
集电极-基电压 30V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.05A
耗散功率 0.4W
结温 150℃
特怔频率 平均 620MHZ
放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
三极管8550
8550是一种常用的普通三极管。
它是一种低电压,大电流,小信号的PNP型硅三极管
集电极-基极电压Vcbo：-40V
工作温度：-55℃ to +150℃
和8050（NPN）相对
主要用途： 开关应用，射频放大
三极管8050
8050是常用的NPN小功率三级管，下面是的8050引脚图参数资料。
<8050管脚图>
8050三级管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5
A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电（VCEO）:25; 频
率:150 KHz
PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W
3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz
CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
版权声明：本文标题：PNP和npn区别和运用 内容由网友自发贡献，该文观点仅代表作者本人， 转载请联系作者并注明出处：http://roclinux.cn/b/1712983798a615633.html， 本站仅提供信息存储空间服务，不拥有所有权，不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容，一经查实，本站将立刻删除。
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